一、igbt的保護(hù)分哪三個(gè)保護(hù)
IGBT是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過(guò)流能力與耐過(guò)壓能力較差，一旦出現(xiàn)意外就會(huì)使它損壞。為此，必須對(duì)IGBT進(jìn)行相關(guān)保護(hù)。IGBT的保護(hù)主要分為三個(gè)部分：
1、過(guò)流保護(hù)
IGBT承受過(guò)電流的時(shí)間僅為幾微秒，耐過(guò)流量小，因此使用IGBT首要注意的是過(guò)流保護(hù)。IGBT的過(guò)流保護(hù)可分為兩種情況：驅(qū)動(dòng)電路中無(wú)保護(hù)功能；驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)有保護(hù)功能。對(duì)于第一種情況，我們可以在主電路中要設(shè)置過(guò)流檢測(cè)器件；針對(duì)第二種情況，由于不同型號(hào)的混合驅(qū)動(dòng)模塊，其輸出能力、開(kāi)關(guān)速度與du/dt的承受能力不同，使用時(shí)要根據(jù)實(shí)際情況恰當(dāng)選用。對(duì)于大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過(guò)流保護(hù)則可以通過(guò)封鎖驅(qū)動(dòng)信號(hào)或者減小柵壓來(lái)進(jìn)行保護(hù)。
2、過(guò)壓保護(hù)
IGBT的過(guò)壓保護(hù)主要從以下幾個(gè)方面進(jìn)行：
（1）盡可能減少電路中的雜散電感。
（2）采用吸收回路。吸收回路的作用是;當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí)，吸收電感中釋放的能量，以降低關(guān)斷過(guò)電壓。
（3）適當(dāng)增大柵極電阻Rg。
3、過(guò)熱保護(hù)
IGBT的過(guò)熱保護(hù)一般是采用散熱器（包括普通散熱器與熱管散熱器），并可進(jìn)行強(qiáng)迫風(fēng)冷。
二、IGBT的保護(hù)模式有哪些
不注意IGBT的保護(hù)，就無(wú)法抵抗來(lái)自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問(wèn)題，因此需要做好保護(hù)工作，IGBT的保護(hù)模式主要有兩種：
1、傳統(tǒng)保護(hù)模式
防止柵極電荷積累及柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設(shè)置一些保護(hù)元件，如電阻RGE可以使柵極積累電荷泄放，兩個(gè)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管可以防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。另外，還有實(shí)現(xiàn)控制電路部分與被驅(qū)動(dòng)的IGBT之間的隔離設(shè)計(jì)，以及設(shè)計(jì)適合柵極的驅(qū)動(dòng)脈沖電路等。
2、新型保護(hù)模式
將傳統(tǒng)的穩(wěn)壓管改為新型的瞬態(tài)抑制二極管（TVS），TVS反應(yīng)速度極快（達(dá)PS級(jí)），通流能力遠(yuǎn)超穩(wěn)壓二極管（可達(dá)上千安培），同時(shí)，TVS對(duì)靜電具有非常好的抑制效果。該產(chǎn)品可以通過(guò)IEC61000-4-2接觸放電8kV和空氣放電15kV的放電測(cè)試。
將傳統(tǒng)電阻RG變更為正溫度系數(shù)（PPTC）保險(xiǎn)絲。它既具有電阻的效果，又對(duì)溫度比較敏感。當(dāng)內(nèi)部電流增加時(shí)，其阻抗也在增加，從而對(duì)過(guò)流具有非常好的抑制效果。
