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DFB激光器的結(jié)構(gòu)組成 dfb激光器結(jié)構(gòu)介紹

本文章由注冊(cè)用戶 名品資訊 上傳提供 2026-01-13 評(píng)論 發(fā)布 糾錯(cuò)/刪除 版權(quán)聲明 0
摘要:DFB激光器的結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)其分布式反饋和單縱模輸出特性的核心,整體為半導(dǎo)體波導(dǎo)型器件,從縱向分層和橫向功能模塊兩個(gè)維度可清晰拆解其組成,縱向結(jié)構(gòu)包括襯底、下包層、波導(dǎo)與光柵層、源區(qū)、包層五層結(jié)構(gòu),橫向功能模塊包括輸入輸出端面、光柵區(qū)、電極三個(gè)區(qū)域。本文小編為大家?guī)韉fb激光器結(jié)構(gòu)介紹。

DFB激光器的結(jié)構(gòu)組成

一、 縱向分層結(jié)構(gòu)(垂直于波導(dǎo)方向)

這種分層設(shè)計(jì)的核心目的是限制載流子和光場(chǎng),讓注入的電流集中在有源區(qū)產(chǎn)生增益,同時(shí)讓光場(chǎng)局限在波導(dǎo)內(nèi)傳播,減少能量損耗。通常包含以下五層:

1.襯底

作為整個(gè)器件的支撐基底,選用與外延層晶格匹配的半導(dǎo)體材料,常見的有InP(銦磷)適配 1310nm/1550nm 通信波段的 InGaAsP 有源區(qū),GaAs(砷化鎵)適配 850nm 波段的 AlGaAs 有源區(qū)。襯底一般為 N 型摻雜,為載流子傳輸提供通路。

2.下包層

位于襯底上方,采用 N 型重?fù)诫s的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其折射率低于有源區(qū)和波導(dǎo)層。通過折射率差實(shí)現(xiàn)光場(chǎng)的垂直限制,防止光向襯底方向泄露;同時(shí)作為電流傳輸?shù)耐ǖ?,將電子輸送到有源區(qū)。

3.波導(dǎo)與光柵層

這是 DFB 激光器的核心功能層,分為兩個(gè)子結(jié)構(gòu):

波導(dǎo)層:位于有源區(qū)附近,折射率略高于包層,用于引導(dǎo)光場(chǎng)沿器件長(zhǎng)度方向傳播,材料通常與有源區(qū)兼容。

布拉格光柵:通過電子束曝光、全息光刻或干法刻蝕等工藝,在波導(dǎo)層(或有源區(qū)表面)制作出周期性折射率變化的條紋結(jié)構(gòu)。光柵周期 Λ 由目標(biāo)輸出波長(zhǎng)決定,滿足布拉格條件。部分高性能 DFB 激光器會(huì)在光柵中間引入λ/4 相移,消除模式分裂,提升單縱模穩(wěn)定性。

4.有源區(qū)

光增益的產(chǎn)生區(qū)域,是激光器的 “發(fā)光核心”,采用量子阱(Quantum Well) 結(jié)構(gòu)(多為多量子阱 MQW),材料為窄禁帶半導(dǎo)體(如 InGaAsP、AlGaAs)。當(dāng)電流注入時(shí),電子和空穴在有源區(qū)復(fù)合,通過自發(fā)輻射和受激輻射產(chǎn)生光子。有源區(qū)的厚度極薄(通常幾十納米),量子限制效應(yīng)可提升增益效率,降低閾值電流。

5.上包層

位于有源區(qū)上方,采用 P 型重?fù)诫s的寬禁帶半導(dǎo)體材料,折射率低于有源區(qū)和波導(dǎo)層,與下包層配合實(shí)現(xiàn)光場(chǎng)的垂直限制;同時(shí)作為電流通路,將空穴輸送到有源區(qū)。

6.接觸層

位于上包層頂部,采用高摻雜的半導(dǎo)體材料(如 InGaAs),降低金屬電極與半導(dǎo)體之間的接觸電阻,讓電流更高效地注入有源區(qū)。

二、 橫向功能模塊(沿波導(dǎo)長(zhǎng)度方向)

從器件的端面到另一端面,橫向可分為三個(gè)功能區(qū)域:

1.輸入輸出端面

器件的前后兩個(gè)端面,為了消除端面反射帶來的多縱模干擾,通常會(huì)鍍制抗反射(AR)涂層,將端面反射率降低到 0.1% 以下,避免形成 FP 諧振腔。

2.光柵區(qū)

覆蓋器件的大部分長(zhǎng)度,布拉格光柵分布在這個(gè)區(qū)域,提供分布式反饋,篩選出滿足布拉格條件的波長(zhǎng)光進(jìn)行振蕩放大。

3.電極

分為 P 極和 N 極:P 極制作在頂部接觸層表面,通常為條形電極(限制電流注入?yún)^(qū)域,提升增益效率);N 極制作在襯底背面,為整個(gè)器件提供公共電極。當(dāng)在兩極之間施加正向電壓時(shí),電流注入有源區(qū),觸發(fā)受激輻射。

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