一、硅片清洗工藝步驟有哪些

吸附在硅片表面上的雜質可分為分子型、離子型和原子型三種情況。其中分子型雜質與硅片表面之間的吸附力較弱，清除這類雜質粒子比較容易。它們多屬油脂類雜質，具有疏水性的特點，對于清除離子型和原子型雜質具有掩蔽作用。

因此在對硅片進行化學清洗時，首先應該把它們清除干凈。離子型和原子型吸附的雜質屬于化學吸附雜質，其吸附力都較強。

在一般情況下，原子型吸附雜質的量較小，因此在化學清洗時，先清除掉離子型吸附雜質，然后再清除殘存的離子型雜質及原子型雜質。

最后用高純去離子水將硅片沖冼干凈，再加溫烘干或甩干就可得到潔凈表面的硅片。

綜上所述，清洗硅片的一般工藝程序為：去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。另外，為去除硅片表面的氧化層，常要增加一個稀氫氟酸浸泡步驟。

二、硅片清洗后有水印怎么辦

1、沖洗不干凈，可以拿一些干凈的硅片再重新清洗一次，不要過清洗劑槽，看是否有水印出現(xiàn)，若無，則是清洗劑的問題，調整即可。

2、烘干不夠，將硅片在進入烘干通道前取出甩干或吹干，看是否有水印，如無，則是加大烘干通道的力度。

3、水中雜質含量過高，造成不易清洗，清除水中的雜質即可。